Tuotteiden esittely
N--tyypin SiC-substraatit on suunniteltu homoepitaksiaaliseen kasvuun edistyneessä tehopuolijohteiden valmistuksessa. Erinomaisella sähkö- ja lämpösuorituskyvyllä tämä korkea{2}}tehokkuusSiC-substraattisopii suuritehoisiin{0}}sovelluksiin sähköajoneuvoissa, aurinkosähköjärjestelmissä, tuulivoimassa ja muissa uusissa energiateknologioissa.
Tuotevalikoimaan kuuluvat 6- ja 8-tuumaisetSiC kiekotvolyymituotantoon ja maailmanlaajuiseen toimitukseen, 12- tuuman substraattituotantokyky saatavilla seuraavan sukupolven tehopuolijohdesovelluksiin.
Tekniset tiedot
| 6-tuumainen | |
|---|---|
| Halkaisija | 150,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Pintasuuntaus | 4 astetta kohti<1120>±0,5 astetta |
| Ensisijainen litteä pituus | 47,5 mm ±1,5 mm |
| Ensisijainen tasainen suuntaus | <1120>±1,0 astetta |
| Lovi-suuntaus | / |
| Lovikulma | / |
| Lovi syvyys | / |
| Toissijainen asunto | N/A |
| Paksuus | 350,0 um ± 25,0 um |
| Polytyyppi | 4H |
| Tyyppi | n-tyyppi |
| 8-tuumainen | |
|---|---|
| Halkaisija | 200,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Pintasuuntaus | 4 astetta kohti<1120>±0,5 astetta |
| Ensisijainen litteä pituus | Lovi |
| Ensisijainen tasainen suuntaus | / |
| Lovi-suuntaus | <1100>±1,0 astetta |
| Lovikulma | 90 astetta +5 astetta /-1 aste |
| Lovi syvyys | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Toissijainen asunto | N/A |
| Paksuus | 500.0um±25.0um |
| Polytyyppi | 4H |
| Tyyppi | n-tyyppi |
| 12-tuumainen | |
|---|---|
| Halkaisija | 300,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Pintasuuntaus | 4 astetta kohti<1120>±0,5 astetta |
| Ensisijainen litteä pituus | Lovi |
| Ensisijainen tasainen suuntaus | / |
| Lovi-suuntaus | <1100>±5,0 astetta |
| Lovikulma | 90 astetta +5 astetta /-1 aste |
| Lovi syvyys | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Toissijainen asunto | N/A |
| Paksuus | 750,0 um ± 25,0 um |
| Polytyyppi | 4H |
| Tyyppi | n-tyyppi |
Todistus
Suositut Tagit: 4h n-type sic substraatti, Kiina, toimittajat, valmistajat, tehdas, valmistettu Kiinassa
